原子層刻蝕

簡要描述：ALE是一種先進的刻蝕技術，可以針對較淺的微結構進行出色的深度控制。隨著器件微結構尺寸越來越小，要達到器件的更高性能可以通過ALE技術所具有的精度來實現。

在如今的先進微電子器件制造中，高保真度的圖案轉移（刻蝕）是至關重要的。隨著特征尺寸縮小至亞10納米級別，以及新型器件采用超薄的二維材料，對原子尺度保真度的需求不斷增加。

原子層刻蝕(ALE)技術克服了傳統（連續）刻蝕技術在原子尺度上的局限

產品型號：PlasmaPro 100 ALE
廠商性質：經銷商
更新時間：2024-08-12
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工藝優勢

可實現刻蝕層的高深度精度
最大可加工200 mm的晶圓，典型均勻度<±2%
利用先進的技術對刻蝕深度進行高度控制
對襯底的損害小
可與標準ICP結合使用

原子層刻蝕工藝

原子層刻蝕通常包括4個步驟的周期，根據需要可重復多次，以達到所需的刻蝕深度。以下是使用 Cl2/Ar進行AlGaN刻蝕的ALE示例：

步驟 1) 對基底進行刻蝕氣體的投放，刻蝕氣體吸附在刻蝕材料上并與之發生反應。通常，刻蝕氣體經等離子體解離以增強吸附速率。通過正確選擇投放氣體和參數，這個步驟可以實現自限制，即在吸附一層分子后化學投放停止。

步驟 2) 清除所有剩余的投放氣體

步驟 3) 用低能惰性離子轟擊表面，去除已發生反應的表面層。如果離子的能量足以去除化學修飾層，但不足以（濺射）刻蝕下層塊狀材料，這可能是自限制。

步驟 4)清除腔室內的刻蝕產物。

原子層刻蝕的優勢

采用低離子能量，刻蝕損傷小
精確控制刻蝕深度
超薄層去除
自限制行為
選擇性高，因為可對劑量氣體和離子能量進行定制，以盡量減少對掩膜層或底層材料的刻蝕
刻蝕速率受刻蝕特征長寬比的影響較?。礈p少ARDE），因為自由基的供應和表面離子轟擊已分成獨立的步驟
由于具有自限性，均勻性得到改善
刻蝕表面光滑
由于依賴離子轟擊，因此具有各向異性

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