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            當前位置:首頁  >  產品中心  >  半導體前道工藝設備  >  2 PVD  >  Ganister™ A 系列8英寸離子束沉積(IBD)設備

            8英寸離子束沉積(IBD)設備

            簡要描述:Ganister™ A離子束沉積設備,是針對低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開發的專用產品,在硬盤磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有著重要的應用。該設備采用濺射成膜,靶材選擇范圍廣。而其采用的四槽旋轉靶材基座,更可處理多達四種靶材。選配的輔助離子源,可以實現原位預清洗、優化膜層致密性等功能。此外,Ganister™ A的輔助離子源也可進行離子束刻蝕,一個腔室內兼備兩種工藝,顯著提高

            • 產品型號:Ganister™ A 系列
            • 廠商性質:經銷商
            • 更新時間:2024-09-04
            • 訪  問  量: 506

            詳細介紹

            1. 產品概述

            Ganister™ A離子束沉積設備,是針對低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開發的專用產品,在硬盤磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有著重要的應用。該設備采用濺射成膜,靶材選擇范圍廣。而其采用的四槽旋轉靶材基座,更可處理多達四種靶材。選配的輔助離子源,可以實現原位預清洗、優化膜層致密性等功能。此外,Ganister™ A的輔助離子源也可進行離子束刻蝕,一個腔室內兼備兩種工藝,顯著提高了該設備的功能。

            2. 系統特性

            在低溫、超低壓工藝模式下,形成高致密優質膜層

            雙離子源結構(濺射+輔助離子源),輔助源用于清洗與輔助濺射

            可高精度控制沉積過程,并能保障批次間的膜層重復性

            實時光控設備,用來監控、分析、調整膜層光譜

            選配:可在一個腔室內同時實現IBD和離子束刻蝕(IBE)功能

            適用于8英寸晶圓



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