原子層沉積儀器ALD

1 產品概述:

    原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）是一種先進的薄膜沉積技術，它通過化學反應將物質以單原子膜形式一層一層地鍍在基底表面。這種技術屬于化學氣相沉積的一種，但其在于其自限制性和互補性，使得對薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力。ALD廣泛應用于力學、物理學、材料科學以及納米技術等領域。

2 設備用途：

原子層沉積設備主要用于在各種基底上沉積高質量的薄膜，其應用范圍包括但不限于：

1. 半導體領域：用于晶體管柵極電介質層（如高k材料）、光電元件的涂層、集成電路中的互連種子層、DRAM和MRAM中的電介質層，以及集成電路中嵌入電容器的電介質層等。

2. 納米技術領域：用于制備中空納米管、隧道勢壘層、光電電池性能的提高、納米孔道尺寸的控制、高寬比納米圖形、納米晶體、納米結構、中空納米碗等復雜納米結構。此外，還可用于納米顆粒、納米線等材料的涂層。

3. 其他領域：包括微電子、食品包裝、光電、催化劑、儲能技術、航天器外殼聚合物涂層等

3 設備特點

  高度可控性：沉積參數（如厚度、成份和結構）高度可控，能夠精確控制薄膜的厚度至納米級甚至亞納米級。

  優異的均勻性和一致性：所制備的薄膜保形性好、純度高且均勻，這對于提高器件性能至關重要。

  廣泛的適應性：設備能夠適應不同尺寸和形狀的基底，包括平面基底和復雜的三維結構。

  高效性：通過優化工藝參數，可以實現高效的薄膜沉積，提高生產效率。

  靈活性：可沉積多種類型的材料，包括金屬氧化物（如ZnO、TiO2、Al2O3、SnO2）、金屬（如Pt、Ir）等，滿足不同應用需求。
4 技術參數和特點：

• 卷筒紙寬度：大420mm

• ALD鍍膜厚度：大100nm

• 動態沉積速率 （Al2O3）： 10 nm *m/min

• 過程溫度：高 250°C