反應性離子刻蝕系統RIE

1.產品概述：

 PlasmaPro 80是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高質量的工藝。

2.設備原理：

利用氣體放電產生的等離子體，在射頻電源的作用下，使氣體分子電離并形成離子，這些離子在電場的作用下加速并轟擊被刻蝕材料的表面，從而實現材料的去除。RIE技術的關鍵在于，刻蝕過程中產生的化學反應與物理轟擊相結合，既保證了刻蝕的均勻性，又提高了刻蝕的速率。

3.特色參數：

直開式設計允許快速裝卸晶圓

出色的刻蝕控制和速率測定

出色的晶圓溫度均勻性

晶圓大可達200mm

購置成本低

符合半導體行業S2/S8標準

小型系統——易于安置

優化的電冷卻系統——襯底溫度控制

高導通的徑向（軸對稱）抽氣結構 —— 確保能提升工藝均勻性和速率

增加<500毫的數據記錄功能—— 可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄

近距離耦合渦輪泵 —— 抽速高迅速達到所要求的低真空度

關鍵部件容易觸及 ——系統維護變得直接簡單

X20控制系統——大幅提高了數據信息處理能力， 并且可以實現更快更可重復的匹配

通過端軟件進行設備故障診斷 —— 故障診斷速度快

用干涉法進行激光終點監測 —— 在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 （例如硅上的氧化物），或者用反射法來確定非透明材料（如金屬）的邊界

用發射光譜（OES）實現較大樣品或批量工藝的終點監測 —— 監測刻蝕副產物或反應氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點監測