低溫ICP-RIE等離子體刻蝕系統

1. 產品概述：

SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統代表了電感耦合等離子體 （ICP） 處理的前沿技術，其最寬溫度范圍為 -150 °C 至 150 °C。 該工具包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個動態溫控基板電極、一個受控的真空系統和一個非常易于操作的用戶界面。靈活性和模塊化是設計特點。該系統可以配置為處理各種精細結Si, SiO2, Si3N4, GaAs和InP

2. 低損傷等離子體蝕刻

由于離子能量低和離子能量分布窄，因此可以使用SENTECH ICP蝕刻工具進行低損傷蝕刻和納米結構。

3. 使用低溫加工的深硅蝕刻

電感耦合 SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統設計用于硅的低溫蝕刻以獲得光滑的側壁、室溫下的硅蝕刻以及使用氣體切碎工藝的深硅蝕刻，應用在流體學、傳感器、光電子學、光子學和量子技術中。

4. SENTECH專有的等離子體源技術

SENTECH 平面三重螺旋天線 （PTSA） 是一種ICP 等離子體源。PTSA 源產生具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體，適用于傳感器和量子點的低損傷蝕刻。它具有高耦合效率和非常好的點火性能，適用于處理各種材料和結構。

5. 動態溫度控制

等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設置和穩定性是高質量蝕刻的嚴格標準。具有動態溫度控制功能的襯底電極與氦氣背面冷卻和襯底背面溫度傳感相結合，可在很寬的溫度范圍內提供出色的工藝條件。通常，低溫電極使用液氮冷卻，但是，低溫電極也可用于使用冷卻器進行室溫處理。有一個選項可用于在低溫蝕刻和室溫蝕刻之間自動切換。

6. 靈活性和模塊化

從150 mm晶圓到直徑200 mm的各種襯底，以及載體上的襯底，都可以通過SENTECH SI 500 Ccrogenic ICP-RIE等離子蝕刻系統中內置的靈活負載鎖來處理。單晶圓真空負載鎖定保證了穩定的工藝條件，并允許直接切換工藝。