歡迎來到深圳市矢量科學儀器有限公司網站！歡迎來到深圳市矢量科學儀器有限公司網站！
詳細介紹
SENTECH SI 500 D ICPECVD系統具有的等離子體性能，如介電膜的高密度、低離子能量和低壓等離子體沉積，以及鈍化層的低損傷、低溫沉積。
SENTECH 平面三重螺旋天線 （PTSA） 源是我們 ICP 工藝系統的功能。PTSA 源產生具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體，適用于高質量和低損傷的 SiO ICPECVD 沉積2四3N4、a-Si、SiC、DLC 和摻雜層。
低蝕刻速率、高擊穿電壓、低應力、無基板損傷以及極低的界面態密度，沉積溫度低于 100 °C，使沉積膜具有出色的性能。
等離子體沉積過程中的襯底溫度設置和穩定性是高質量蝕刻的苛刻標準。具有動態溫度控制功能的襯底電極與氦 （He） 背面冷卻和襯底背面溫度傳感相結合，可提供高質量的層，即使在低溫下也能沉積。
SENTECH SI 500 D ICPECVD 系統代表了電感耦合等離子體 （ICP） 處理在研究和工業中等離子體增強化學氣相沉積介電薄膜、非晶硅、SiC 和其他材料的
優勢。該系統包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個動態溫控基板電極和一個受控的真空系統。從100 mm晶圓到直徑200 mm的各種基板，以及載體上的基板，都可以通過SENTECH SI 500 D內置的靈活負載鎖來處理。單晶圓真空負載鎖定和機械夾緊保證了穩定的條件，并允許直接切換工藝。
產品咨詢
網站首頁
