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詳細介紹
由于離子能量低且離子能量分布窄，因此可以使用SENTECH電感耦合等離子體（ICP）蝕刻工具進行低損傷蝕刻和納米結構。
使用室溫交替工藝或低溫工藝實現光滑側壁，可以很容易地使用高縱橫比的 MEMS 的 Si 進行高速等離子體蝕刻。
SENTECH平面三重螺旋天線（PTSA）等離子體源是一種等離子體處理系統功能。PTSA 源產生具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體，適用于傳感器、量子點和 HEMT 的低損傷蝕刻。它具有高耦合效率和非常好的點火性能，適用于處理各種材料和結構。
等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設置和穩定性是高質量蝕刻的嚴格標準。具有動態溫度控制功能的襯底電極與氦氣背面冷卻和襯底背面溫度傳感相結合，可在很寬的溫度范圍內提供出色的工藝條件?；衔锇雽w中的凹槽和臺面蝕刻等應用展示了最佳的工藝控制，這對于高器件性能是必要的。
從100 mm晶圓到直徑200 mm的各種基板，以及載體上的基板，都可以通過SENTECH SI 500 ICP-RIE系統中內置的靈活負載鎖來處理。單晶圓真空負載鎖定保證了穩定的工藝條件，并允許直接切換工藝。
我們可以提供不同級別的自動化，從真空盒裝載到一個工藝室，再到六端口集群配置，不同的蝕刻和沉積模塊提供高靈活性和高吞吐量。該系統還可以作為過程模塊集成到集群配置中。
SENTECH SI 500 ICP-RIE系統由先進的硬件和SIA操作軟件控制，具有客戶端-服務器架構。一個經過充分驗證的可靠可編程邏輯控制器（PLC）用于所有組件的實時控制。
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