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詳細介紹
由于離子能量低和離子能量分布窄，因此可以使用SENTECH ICP蝕刻工具進行低損傷蝕刻和納米結構。
電感耦合 SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統設計用于硅的低溫蝕刻以獲得光滑的側壁、室溫下的硅蝕刻以及使用氣體切碎工藝的深硅蝕刻，應用在流體學、傳感器、光電子學、光子學和量子技術中。
SENTECH 平面三重螺旋天線 （PTSA） 是一種 ICP 等離子體源。PTSA 源產生具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體，適用于傳感器和量子點的低損傷蝕刻。它具有高耦合效率和非常好的點火性能，適用于處理各種材料和結構。
等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設置和穩定性是高質量蝕刻的嚴格標準。具有動態溫度控制功能的襯底電極與氦氣背面冷卻和襯底背面溫度傳感相結合，可在很寬的溫度范圍內提供出色的工藝條件。通常，低溫電極使用液氮冷卻，但是，低溫電極也可用于使用冷卻器進行室溫處理。有一個選項可用于在低溫蝕刻和室溫蝕刻之間自動切換。
從150 mm晶圓到直徑200 mm的各種襯底，以及載體上的襯底，都可以通過SENTECH SI 500 Ccrogenic ICP-RIE等離子蝕刻系統中內置的靈活負載鎖來處理。單晶圓真空負載鎖定保證了穩定的工藝條件，并允許直接切換工藝。
SENTECH提供不同級別的自動化，從真空盒裝載到最多六端口集群配置的單工藝腔室，不同的蝕刻和沉積模塊提供高靈活性和高吞吐量。該系統還可以作為過程模塊集成到集群配置中。
SENTECH SI 500 C系統由先進的硬件和SIA操作軟件控制，具有客戶端-服務器架構。一個經過充分驗證的可靠可編程邏輯控制器（PLC）用于所有組件的實時控制。
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