高真空磁控濺射薄膜沉積系統

簡要描述：產品概述：
高真空磁控濺射薄膜沉積系統可用于制備光學薄膜、電學薄膜、磁性薄膜、硬質保護薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩定、模塊化結構，采用行業的軟件控制系統。
設備用途：
用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。

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詳細介紹

1.產品概述：

本沉積系統可用于制備光學薄膜、電學薄膜、磁性薄膜、硬質保護薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩定、模塊化結構，采用行業的軟件控制系統。

2.設備用途：

用于納米單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項目。

3.真空室：

真空室結構:方形開門

真空室尺寸:φ400x400x400mm

限真空度:≤6.6E-5Pa

沉積源:永磁靶3套，φ2英寸

樣品尺寸，溫度:φ4英寸，1片，高800℃

樣品臺：擁有可旋轉或者可移動的樣品臺，以便均勻的沉積薄膜。

占地面積（長x寬x高）:約1.8米×1.7米×2米

電控描述:全自動采用先進的控制系統，方便用戶設置和調整工藝參數，如蒸發溫度、沉積時間等。

工藝:片內膜厚均勻性：≤±3%

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