高真空電子束蒸發薄膜沉積系統

1.  產品概述：

高真空電子束蒸發薄膜沉積系統是一種先進的物理氣相沉積（PVD）技術設備，主要用于在超高真空環境下，通過電子束加熱蒸發源材料，使其蒸發并在基片表面沉積形成薄膜。該系統廣泛應用于物理學、材料科學、動力與電氣工程等域，特別適用于納米材料、太陽能光伏電池、半導體器件等高精度薄膜的制備。

2 設備用途/原理：

1. 薄膜制備：該系統能夠制備各種金屬、半導體、氧化物等材料的薄膜，滿足不同材料和器件的制備需求。

2. 科學研究：在材料科學研究中，用于探索新材料、新結構的物理和化學性質。

3. 工業生產：在半導體、光電子、太陽能電池等行業中，用于大規模生產高精度、高質量的薄膜產品。

3  設備特點

CMP拋光機具有以下幾個顯著特點：

1 高真空度：系統能夠達到高的真空度（≤6.0E-5Pa），有助于減少薄膜制備過程中的雜質和氣體干擾，提高薄膜質量。

2 電子束加熱：采用電子束加熱技術，具有熱效率高、束流密度大、蒸發速度快等優點，能夠蒸發高熔點材料，制備高純薄膜。

3 多源蒸發：系統配備多個蒸發源（如6個40cc坩堝），可同時或分別蒸發多種不同材料，實現多層膜的均勻沉積。

4 精確控制：配備高精度的膜厚監控儀和控制系統，能夠實現對薄膜厚度、成分和結構的精確控制，確保薄膜的均勻性和一致性。

5 靈活定制：樣品尺寸及數量可定制，工件架有拱形基片架和行星形基片架等多種選擇，可根據用戶基片尺寸設計工件架。

6 穩定可靠：系統整體設計合理，結構緊湊，具有良好的設備穩定性和可靠性，以及完善的售后及質保服務。

綜上所述，高真空電子束蒸發薄膜沉積系統以其高真空度、高精度、多源蒸發和靈活定制等特點，在薄膜制備域具有廣泛的應用景和重要的科學價值。

4  特色參數：

本系統配有一套電子槍及電源，可滿足在Al，Ni，Ag，Pt，Pd，Mo,Cr和Ti等多種金屬和介質膜基片上均勻沉積多層膜的需要。

真空室結構:U形開門

真空室尺寸:700x700x900mm

限真空度:≤6.6E-5Pa

沉積源:6個40cc坩堝

樣品尺寸，溫度:φ4英寸，26片，高300℃

占地面積（長x寬x高）:約3.2米x3.9米x2.1米

電控描述:全自動控制系統：
通過工控機和 PLC 實現對整個系統的控制，具有自動和手動控制兩種功能，操作過程可在觸摸屏上進行，提供配方設置、真空系統、電子槍系統、工藝系統、充氣系統、冷卻系統等人機操作界面；在工控機上可通過配方式參數設置方式實現對程序工藝過程和設備參數的設置。

工藝:片內膜厚均勻性：≤±3%

特色參數 :工件架有拱形基片架和行星形基片架：可根據用戶基片尺寸設計工件架