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            當前位置:首頁  >  產品中心  >  半導體前道工藝設備  >  2 PVD

            • ESC-101新型離子槍

              通過采用結合空心陽極離子槍和磁控管離子槍的新型離子槍,可實現了超精細結構的薄膜。

              更新時間:2024-09-05
              型號:ESC-101
              廠商性質:經銷商
              瀏覽量:286
            • NEXDEPAE物理氣相沉積平臺

              AE物理氣相沉積平臺Nexdep PVD在經濟性和多功能性之間取得了平衡。它可以配備強大的工藝增強功能,而不會占用實驗室的所有空間或預算。您的研究目標、生產需求和/或應用最終目標將告知如何裝備您的 Nexdep PVD 平臺。

              更新時間:2024-09-05
              型號:NEXDEP
              廠商性質:經銷商
              瀏覽量:274
            • COVAP科瓦普物理氣相沉積平臺

              科瓦普物理氣相沉積平臺COVAP PVD 為許多過程應用提供了緊湊、經濟且仍然強大的解決方案。專為需要安全可靠的工具的實驗室而設計,該工具可在緊湊的占地面積內生產可重復的高質量薄膜。沉積源被隔離,以減少熱效應和交叉污染。配備了一整套可拆卸的腔室屏蔽層,以確保腔室易于清潔和維護。在腔室打開時,源、級功率和氣動壓力被切斷,確保了優良的安全性。它可以集成到手套箱中,也可以在獨立配置中選擇.

              更新時間:2024-09-05
              型號:COVAP
              廠商性質:經銷商
              瀏覽量:341
            • MS450多靶磁控濺射鍍膜系統

              MS450高真空磁控濺射鍍膜設備詳細組成及功能如下: 真空室:提供高真空環境,確保鍍膜過程的純凈性。 濺射靶槍:用于安裝濺射靶材,通過高能粒子轟擊靶材表面,使靶材原子或分子濺射出來并沉積在樣品上形成薄膜。 濺射電源:為濺射靶槍提供所需的電能,控制濺射過程的穩定性和效率。 加熱樣品臺:用于加熱樣品,以改善薄膜的附著力和結晶質量。 流量控制系統:精確控制鍍膜過程中所需氣體的流量,確保鍍膜成分的準確性

              更新時間:2024-09-05
              型號:MS450
              廠商性質:經銷商
              瀏覽量:275
            • Ganister™ A 系列8英寸離子束沉積(IBD)設備

              Ganister™ A離子束沉積設備,是針對低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開發的專用產品,在硬盤磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有著重要的應用。該設備采用濺射成膜,靶材選擇范圍廣。而其采用的四槽旋轉靶材基座,更可處理多達四種靶材。選配的輔助離子源,可以實現原位預清洗、優化膜層致密性等功能。此外,Ganister™ A的輔助離子源也可進行離子束刻蝕,一個腔室內兼備兩種工藝,顯著提高

              更新時間:2024-09-04
              型號:Ganister™ A 系列
              廠商性質:經銷商
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            • EB700高真空電子束蒸發薄膜沉積系統

              高真空電子束蒸發薄膜沉積系統主要由蒸發室、主抽過渡管路、旋轉基片架、光加熱系統、電子槍及電源、石英晶體振蕩膜厚監控儀、工作氣路、抽氣系統、控制系統、安裝機臺等部分組成,體現立方整體外觀,適用于超凈間間壁隔離安裝,操作面板一端處在相對要求較高超凈環境,其余部分(含低溫泵抽系統)處在相對要求較低超凈環境。 本系統配有一套電子槍及電源,可滿足在Al,Ni,Ag,Pt,Pd,Mo,Cr和Ti等多種金屬

              更新時間:2024-09-06
              型號:EB700
              廠商性質:經銷商
              瀏覽量:372
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